1、 负责高速铌酸锂调制器设计及验证；
2、 负责铌酸锂调制器制作工艺及参数的设计与优化；
3、 负责高速铌酸锂调制器耦合、测试平台的建设；
任职要求：
1、 全日制硕士及以上学历，博士学历优先，有海外工作经验者更佳；
2、 2年以上研发工作经验；
3、 熟悉集成光波导器件理论与设计，具有硅光、铌酸锂、聚合物等实际波导设计制作经验背景，具有相关理论与工艺知识；
4、 掌握薄膜铌酸锂等产品相关工艺技术要求，制备流程、关键工艺技术参数等，所负责的产品具有流片成功经验，或工程化商用案例者优先考虑；
5、 熟练掌握高频电路和各种传输线设计技能；
6、 英语六级及以上，具备熟练的英语听、说、读、写能力；
7、 具有良好的团队意识和沟通能力，服从工作安排，有很强的执行力。