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器件研发工程师 l TD Device Engineer(J14370)
2-4万·15薪
人 · 硕士 · 2年及以上工作经验 · 性别不限2024/12/17发布
五险一金补充医疗保险交通补贴餐饮补贴绩效奖金年终奖金定期体检

北京经济技术开发区经海三路与科创七街交叉口向南 150 米

公司信息
长鑫集电(北京)存储技术有限公司

民营/1000-5000人

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职位描述
工作职责:
1.分析CMOS器件WAT结果,根据in-line数据分析原因;
2.根据项目要求制定器件结构物理参数目标;
3.与产品设计部门合作,对关键器件参数进行优化;
4.解决产品量产之前的器件参数达标以及波动控制的管控。
任职资格:
1.硕士及以上学历, 微电子学,半导体器件,集成电路,材料科学专业背景等;
2.三年以上Device,PIE, design 相关经验;
3.熟悉半导体器件,工艺;
4.工作态度:注重细节,严谨认真,乐于学习;
5.具备良好的英语沟通能力,能够基本英文口语沟通,报告书写,团队协作能力强;
6.具备数据分析JMP,SAS能力。

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