职位描述：
-负责存储MRAM/SRAM/DRAM核心架构的设计、验证、仿真、分析及优化
-负责时序生成、译码、读写电路、高压路径、测试模块等设计
-负责在符合客户指标下的模块调整
- 与器件、系统、及模拟团队协作，确保产品性能符合设计要求；
- 在跨部门团队中有效沟通，推动产品从概念到量产。
任职要求：
- 电子工程、电气工程、微电子学或相关领域的本科及以上学历；
- 至少3年存储器（SRAM/DRAM/eFlash/NAND Flash）核心电路设计经验；
- 熟悉存储器电路的时序分析和功耗优化；
- 掌握集成电路设计工具（如Cadence、Synopsys等）的使用；
- 具备良好的团队合作精神和沟通能力，能够与其他工程师、测试人员和工艺专家紧密协作；
- 有MRAM/SRAM/DRAM或其他非易失性存储器设计经验者优先；
- 具有高压路径设计经验者优先；
- 参与过存储器的流片、测试及量产者优先；
- 具备多芯片集成和低功耗设计经验者优先。