主要职责：
- 熟悉功率半导体器件如IGBT, SiC MOSFET等工作原理，器件结构和封装类型；
- 牵头IGBT, SiC功率模块特定材料选型开发，熟悉功率模块常见结构和封装工艺及行业主流设备；
- 熟悉IGBT, SiC功率模块封装材料的工艺性，了解相关封装工艺；
- 熟练使用Auto CAD, Solidworks等工程制图软件，理解功率模块设计规范，能够独立进行车规级功率模块设计工作，包括治具设计；
- 了解IGBT, SiC功率模块封装材料失效机理和失效模式，根据材料的应用工况建立封装材料可靠性模型；
- 协助项目经理完成项目计划的制定和跟踪，确保项目按时完成；
- 参与项目的讨论和评审，提出改进意见和建议，并协助解决项目中遇到的技术问题；
- 协同芯片合作伙伴开发满足车载客戶需求的封装产品；
职位要求：
- 本科或以上学历，电子、通信、化学、材料等相关专业；主要公司 对标要求
- 3年以上功率模块封装技术研究开发经验，有成功项目经验；
- 半导体制程整合经验2~3年，功率MOSFET/IGBT制造经验尤佳；
- 具备良好的英文阅读和写作能力，能够读懂相关的技术文档和学术论文；英语口语要求
- 具备良好的团队合作能力和沟通能力，能够与团队成员和客户进行有效的沟通和合作；