岗位职责：能独立参与砷化镓(GaAs)射频器件的研发设计。
1. 负责设计一种或多种射频、微波芯片，包括但不限于LNA/开关/滤波器/低噪声放大器/功率放大器/压控振荡器减器/移相器/混频器等)
2. 负责完成相关产品设计、仿真、验证、调试、联调和问题定位工作；
3. 配合完成版图设计和投板工作；
4. 完成设计文件的齐套和归档；
5. 配合进行质量、测试等相关工作的开展。
任职要求：
1. 电子类相关专业本科或以上学历，熟练掌握射频微波基础知识，3-5年研发设计经验；
2. 熟悉并理解砷化镓(GaAs)工艺流程；
3. 会使用CAD、ADS等设计软件；
4. 英语CET四级水平，具有一定的专业英语阅读和理解能力；
5. 具有较强的沟通能力和学习能力，善于发现问题，解决问题。
薪酬福利、职业发展：
1、公司购买六险一金（养老、医疗、失业、生育、工伤、大病医疗补助险和住房公积金）；
2、薪资外其他福利，如午餐补助、交通补助、全勤奖、团建、节假日福利、各项生日礼、慰问金、贺礼等；
3、工作时间9：00——17：30，早晚有班车，周末双休，按国家规定休法定节假日、年假、婚假、生育假等；
4、、公司目前处于快速发展阶段，拥有广阔的成长机遇和晋升空间。