主要职责：
1. 参与射频芯片的指标确认、性能验证以及系统仿真；
2. 负责Si基工艺或者III-V族工艺(GaAs/GaN)射频集成电路设计；
3. 负责射频芯片的设计与开发，包括但不限于低噪声放大器、混频器、功率放大器、压控振荡器、移相器、衰减器、收发前端、倍频器等；
4. 负责芯片中射频部分版图设计，负责版图后仿并确保最终性能；
5. 提交所负责模块的芯片研发报告及相关测试方案；
6. 与其他部门和团队密切协作，指导和参与芯片的封装、测试、调试等工作。
任职要求
1. 通讯、微电子、微波及相关专业本科及以上学历；
2. 熟悉射频电路设计理论、方法和流程；
3. 熟练使用相关EDA设计和仿真工具；
4. 了解包括LNA、PA、Mixer、VCO、PLL、Doubler、Frequency Divider等在内的两种或以上的电路原理和设计流程；
5. 有RFIC或MMIC流片经验者优先；
6. 有系统集成经验者优先；
7. 能熟练阅读英文技术文档和专业文献；
8. 能独立解决开发过程中的问题，具有较强的独立项目开发、方案设计和文档编写能力；
9. 具有良好的团队精神和沟通协作能力，主动性强，具备良好的自我学习和管理能力。