工作职责：
1、根据G氮化镓器件外延结构设计进行外延生长工艺的研发；
2、参与MOCVD设备的Move in、二次配、安装和设备验收，在要求的时间内及时释放产能并保证新设备达到工艺要求；
3、针对氮化镓功率器件需要满足的电性和材料质量要求，负责新结构的 Recipe的开发，协助MOCVD设备工程师生产；
4、根据材料测试（HRXRD\AFM\PL\Hall\SIMS等）分析与器件的电性反馈，进行外延工艺的迭代优化；
5、负责GaN外延设备的国产化调研、demo、选型与国产化验证；
6、负责进行外延生长产生的数据、工艺技术文件等资料的整理、保管与定期归档工作；
7、协助进行相关的国内外专利的撰写与申请；
任职资格：
1、物理学、凝聚态物理、半导体材料、半导体光电子器件、微电子学与固体电子学等相关专业，硕士研究生及以上学历（接受应届生）；
2、有MOCVD使用及Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料生长经验，有硅上氮化镓生长经验优先考虑；
3、熟悉氮化镓相关的材料与器件测试（AFM, HRXRD, PL, SEM, TEM, SIMS, CV, Hall等）；
4、了解MOCVD生长原理、机台维护和操作，能进行设备的使用维护和工艺异常情况处理；
5、了解氮化镓功率器件工艺制作流程，器件表征方法及可靠性评价手段；
6、具备英语沟通交流与书写能力；
7、良好的学习能力、沟通能力、抗压能力以及团队合作精神GaN外延研发工程师
薪资面议