招聘企业：重庆平创半导体研究院

1、对所要开发的产品进行定义，根据市场需求，评估定义新产品；
2、负责FRD，IGBT等功率器件产品开发、器件仿真，版图设计，工艺方案制定，封装方案制定；
3、与foundry厂家共同建立工艺流程，以确保产品参数、可靠性及工艺窗口达到设计指标；
4、量产测试、实验室测试、老化测试等各测试环节方案进行评估和协助，进行数据分析；
5、配合应用、销售端进行产品的推广，协助处理产品在生产、推广过程中出现的问题；
组织安排部属日常工作，确保产品开发项目按期完成。
任职要求：
1、硕士学历(或本科学历6年以上工作经验)；2、半导体或微电子相关专业；
3、在功率器件领域设计岗位工作4年以上，从事MOSFET跟IGBT研发设计至少3年时间；
4、熟知半导体器件的制造工艺流程、跟MOSFET，IGBT特殊工艺；
5、熟练掌握半导体器件仿真软件的使用,熟悉版图工具软件等；
6、具有丰富的半导体物理器件知识，熟练运用CAD、office等办公软件，项目材料的审核和撰写能，独立分析与解决问题能力。