岗位职责：
1、开发和优化HBT结构及pHEMT结构的外延工艺：
2、设计实验方案，评估新的外延工艺和结构；
3、优化生长参数，提高外延层的均匀性和再现性;
4、分析和解决与外延相关的良率问题;
5、进行缺陷分析，找出根本原因并制定改进措施;
6、持续优化工艺，提高产品良率和一致性，满足射频指标要求;
7、为工艺整合工程师提供外延相关的专业知识和技术支持;
8、参与工艺整合讨论，提供外延相关的专业意见;
9、协助解决与外延相关的跨模块工艺问题;
10、编写和维护外延工艺文档，包括工艺流程和质量控制标准;
11、与设备工程师密切合作，提供工艺需求和反馈;
12、协助设备工程师进行工艺相关的设备调试和优化;
13、参与新设备的评估和工艺验证;

任职资格：
1、本科及以上学历，材料科学、机械工程或相关专业背景 ；
2、3-5年半导体制造业后段工艺相关工作经验，其中至少2年射频器件工艺经验；
3、深入了解半导体后段工艺原理和技术 ，熟悉研磨、减薄、键合等工艺设备的；
4、了解射频器件的工作原理和性能要求 ，熟悉常见的材料分析和表征技术 ；
5、具备基本的统计分析和实验设计知识。