工作职责:
1. 先进工艺Memory(SRAM/ROM/eFUSE)电路分析、架构、测试向量等设计
2. Memory电路到版图设计规划
3. Memory晶体管级别仿真，具备timing/power/Monte Carlo与reliability等分析能力
4. 具备量产芯片之Memory测试、良率分析、错误分析到成功量产经验者佳。
5. 生成各式Memory Design Kit交付件之建立与除错
6. 编写设计文档、测试报告，主导技术专利布局与行业前沿技术研究。

任职资格:
1. 教育背景：微电子、电子工程、集成电路等相关专业硕士及以上学历。
2. 工作经验：
a. 3年以上Memory模拟电路设计经验，有成功量产芯片案例者优先。
b. 熟悉通信、消费电子、汽车电子等领域模拟电路设计者优先。
c. 有Memory Compiler设计经验者优先。
3. 技术能力：
a. 熟练使用Cadence Virtuoso、Spectre、HSPICE等工具。
b. 精通SRAM/ROM/eFUSE bit cell分析能力，以及周边模块设计能力
c. 熟悉增进memory之power、performance、area等设计能力。。
d. 熟悉版图，有先进工艺节点设计经验为佳。
4. 项目管理能力：具备Memory项目开发经验，熟悉芯片开发流程与风险控制。
5. 软技能：
a. 具备执行Memory开发之跨部门沟通经验。
b. 具备英语阅读、撰写技术文献能力。
6. 加分项：
a. 发表过相关领域论文或持有模拟电路专利。
b. 有Memory Compiler设计经验。