岗位职责：
1、负责IGBT/FRD功率器件结构、工艺、版图设计；
2、负责工艺和器件仿真，电性能分析及优化；
3、与晶圆制造厂进行技术对接；
4、协调其他部门推进芯片研发和测试验证等工作；

任职要求：
1、3年及以上经验，有 IGBT、FRD、SIC MOS 等相关项目经验者优先。
2、硕士及以上学历，半导体相关专业方向；
3、熟悉晶圆制造工艺；
4、熟练使用TCAD仿真软件，并且会版图软件者优先；
5、熟练使用JMP等数据处理工具；
6、具有一定的产品研发能力，沟通协调能力，有较强学习能力。