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电性失效分析研发工程师
2-4万·15薪
人 · 本科 · 3年及以上工作经验 · 性别不限2024/10/23发布
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空港工业园兴业大道388号

公司信息
长鑫存储技术有限公司

民营/1000-5000人

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职位描述
工作职责:
1.负责 DRAM芯片/封装的电性失效分析,并提供逻辑完善的电性失效分析报告;
2.熟悉ADVANTEST机台 Memory测试,制定和优化测试方案并分析测试数据;
3.静态/动态电性失效分析,根据故障模式及电性分析与验证,定位可能的故障位置;
4.主要涉及仪器:ADVANTEST,IV曲线仪,探针台,EMMI,OBRICH,Thermal 等;
5.通过电路布局追踪与分析,理解失效隔离位置和故障模式之间的相关性;
6.有良好的沟通能力,与设计部门,制造部门,测试部门,品保部门合作提升产品质量;
7.对内外部相关人员的培训,及时高效的完成组长或经理交予的相关工作任务。
任职资格:
1.全日制本科或以上学历,微电子/半导体物理等理工科相关专业,熟悉半导体为佳;
2.会操作ADVANTEST, EMMI 等电性分析设备,能够读懂电路图及PCB版图的优先考虑;
3.熟悉晶圆制造工艺或封装工艺,有在集成电路产业工作的经验为佳;
4.有丰富测试经验及对半导体基础知识有一定了解;有芯片EFA和PFA经验优先;
5.工作积极主动责任感强,有良好的团队协作与沟通能力,具备较强的分析解决问题能力。

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