工作职责:
1.开展应用于DRAM电容器的HK薄膜材料研发工作；
2.与Design和Device团队合作提炼出先进DRAM对电容器的器件结构、电性和可靠性要求；
3.领导pathfinding以及Module等研发团队通过新材料引入、器件结构创新、材料组分及制备工艺创新、新机台引进等手段开发出适用于先进DRAM的HK电容器。
任职资格:
1.硕士及以上学历,微电子、集成电路、化学、物理、材料等相关专业；
2.有扎实的材料物理和半导体器件物理基础知识；
3.至少3年以上HK材料研发相关经验；
4.良好的科研素养和团队合作精神；
5.熟悉各种薄膜材料制备及测试表征手段。