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DRAM产品研发工程师(良率提升) (J13162)
2-4万·15薪
人 · 本科 · 2年及以上工作经验 · 性别不限2025/02/11发布
方案五险一金补充医疗保险带薪年假年终奖金绩效奖金定期体检有餐补免费班车交通补贴

空港工业园兴业大道388号

公司信息
长鑫存储技术有限公司

民营/1000-5000人

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职位描述
工作职责:
1.研发新产品FT导入;
2.研发新产品的FT array测试和speed性能测试;
3.研发阶段的FT良率监控,数据分析,不良样品的电性分析和良率改善;
4.研发阶段的产品FT测试覆盖率的提升;
5.研发新产品的FT测试程式维护。
任职资格:
1.本科以上, 自动化、通信工程、电子信息、计算机及相关专业;
2.具有半导体或芯片相关的电路设计,测试开发与产品验证经历,2年以上工作经验优先;
3.有DRAM/Flash/eMMC/UFS/PCIE/MIPI/AXI/复杂通讯协议等电路设计或测试经验者优先;
4.熟悉半导体测试系统,熟悉Advantest T550HS使用方法与原理优先;
5.了解DRAM存储器基本原理,熟悉半导体元件与IC制造生产测试流程优先;
6.具有良好的电路基础,具备一定的C语言或汇编语言编程能力;
7.具备良好的团队合作、逻辑推理、沟通、报告和工程实验设计等能力;
8.具有较好的工作主动性、团队合作、良好的创新创业精神。

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