岗位职责:
1.负责SSD NAND端性能优化及可靠性测试；
2.支持新产品设计改进与量产问题解决；
3.主导NAND芯片级/系统级（Cell/Page/Block）的电性失效、物理缺陷的根因分析；
4.设计NAND验证实验，解析测试数据（RBER/UBER/WAF），输出失效分析报告并提出改善方案；
5.评估P/E Cycle、Data Retention、高温耐久性等关键参数。建立可靠性退化模型，预测产品寿命及风险边界。

任职要求:
1.本科及以上学历，计算机、电子、通信等相关专业；
2.精通C、汇编等编程语言；
3.具有一定的电路基础知识，有软硬件联调能力；
4.具有良好的英文资料的阅读能力，能够阅读英文芯片手册以及英文SPEC；
5.精通NAND闪存工作原理，熟悉Page/Block架构及读写擦除机制；
6.1年以上NAND闪存失效分析/可靠性工程经验，有原厂（三星/Kioxia/美光/SK海力士）或主控厂商（慧荣/群联/联芸）或者SSD模组厂(江波龙/宏芯宇/金士顿)经历优先。