1、大专及以上学历，微电子、电子工程类专业，2年以上工作经验；
2、能制定测试方案；
3、熟练掌握高压MOSG和IGBT的测试原理；
4、熟悉功率器件技术原理、研发工艺、可靠性要求，熟悉各项参数，掌握失效分析手段和流程；
5、负责高压MOS、FRD、IGBT及其他类功率器件及模块产品测试流程及方案的确定；
6、负责新产品测试开发与认定，测试规范拟制，产品规格书的制定； 7、负责芯片及封装成品电性测试和可靠性试验跟踪，完成测试及实验结果分析等