1、负责化合物半导体GaAs领域的外延研发；
2、负责外延结构设计、MOCVD外延生长方法研究、外延缺陷研究、PSS图形化蓝宝石衬底研发、Sputter AlN薄膜研究、Efficiency Droop改善、Hot-Cold热态性能提升等方向研发，提升外延发光亮度、内量子效率、光提取效率和降低电压等芯片性能；
3、负责竞品分析和阅读英文文献，制定实验目标、设计和规划研发项目，管理项目进度，并定期输出汇报项目进度报告；
4、负责新工艺和新产品的评估、量产导入以及协助生产部门解决导产的技术与良率问题；参与研发平台和芯片制程稳定性及可靠性分析与改善，提升研发效率；
5、研发专利分析与撰写。


任职要求
1、硕士研究生及以上学历，物理、化学、材料、电子等相关专业；
2、3年以上同行工作经验；
3、熟悉半导体器件和半导体材料，具备深厚的半导体理论基础；
4、具备良好的逻辑推理能力、数据分析能力及沟通能力；
5、熟练使用AUTOCAD及office等办公软件。