一、岗位职责
1.掌握工艺平台开发能力，负责提出工艺需求，制订器件结构和流片方案，负责产品定型、转批评审、客诉分析；
2.负责功率器件MOSFET设计开发工作，能从系统适用性、竞争性、成本等多维度提取参数边界，精准定义产品，输出芯片的设计要求；
3.负责工艺及产品仿真，对各种工艺步骤(如氧化、扩散等)，不同产品结构进行仿真。建立工艺及产品结构仿真库，并做好日常管理、维护工作；
4.应用FAB产线工艺设计规则、产品性能要求，结合封装产线的工艺特点(如键合、焊接工艺、各类封装外形、框架结构等)设计光刻版图，确定各层光刻版图关键尺寸、间距、标记等要素，输出制版文件，由制版专员进行制版，做好版图审核确认工作；
5.负责新产品测评开发与认定，测试规范拟制、优化升级，指导测试工程师完成半成品及成品测试程序开发；
6.协调封装工程师进行目标封装定义及匹配；
7.负责芯片电性测试和可靠性实验跟踪，并完成测试及实验结果分析；
8.负责市场竞品洞察与分析；
9.负责调整工艺窗口，并使其适用生产；
10.协助AE对应用环境产生的问题进行分析；
11.协助进行手册参数的确认，产品规格书的制作、审核及更新。

二、任职要求
1.本科及以上学历，电力电子、半导体等相关专业；
2.3年以上工作经验，具备国际功率器件半导体厂家工作经历者优先考虑 ；
3. 熟悉Trench MOS、SGT、IGBT、高压超结MOS、功率模块技术原理、研发工艺、可靠性要求，熟悉各项参数和测试原理，掌握失效分析手段和流程；
3.有较强的研发项目的管理经验，沟通协调能力强，责任心及团队合作精神优秀。
4.良好的英语听说读写能力，较强的学习能力。；
5.性格外向，有良好的沟通协调能力，工作责任心和执行力佳。

工作地点：江苏省南通市、启东市。