职责描述：
1.负责功率MOS芯片(低压Trench /SGT/超结MOS）的设计与开发，及时解决开发过程中的相关设计、工艺、参数、可靠性等问题，保障项目从立项到量产前按计划进行；
2.负责相关芯片的设计文件、工艺文件和封装测试文件等技术文档和规范的拟制；
3.负责与晶圆流片厂沟通工艺流程，确保产品参数、可靠性及工艺窗口达到设计指标；
4.推动Fab调整/优化工艺实现更稳定工艺、更好器件性能； 跟进代工Lot状态，以确保产品参数、可靠性及工艺窗口达到设计指标；
5.负责完成公司产品的电性测试、物理结构分析、电性参数仿真等。设计并优化DOE实验，实现产品参数的改善，与代工厂沟通建立工艺流程菜单；
6.进行功率器件结构和过程模拟；
7.提供自研产品失效分析及技术支持，协助公司内部解决该类产品的客诉问题；建立相关项目的开发数据库；
8.相关专利文件撰写及申请。

任职要求：
1.微电子等相关理工科专业本科及以上学历；
2.3年以上功率芯片设计开发相关经验；有IGBT/MOS/Diode(FRD/TMBS)开发经验者优先；
3.熟练掌握半导体器件仿真软件Sentaurus/Medici/Sivalco及版图设计软件Cadence/LEDIT；
4.有超结MOS设计经验者优先
4.有较强的研发项目的管理经验，沟通协调能力强，有责任心及团队合作精神；
5、具有良好的专业英语读写能力，工作认真负责、善于学习、具有良好的团队合作精神。