岗位职责
1.负责MOS/IGBT/SiC等功率器件新技术研发以及前沿技术先期探索；
2.根据客户需求进行功率器件结构设计并通过理论计算或计算机模拟对新结构
进行可行性论证；针对产品技术指标要求，进行器件版图设计和绘制;
3.对接流片，测试，封装及应用事宜，对设计进行相应优化直至定型;
4.产品竞争力分析，优化设计和工艺方案，建立相关工艺流程、优化器件参
数，提高产品性能及良率;
5.与市场、运营、质量等相关部门人员进行沟通和协调，对反馈信息进行技术
论证，提出改进方案确保及时解决问题
6.器件技术开发：针对下一代产品要求或项目需求，开发新型器件结构；能够熟练应用半导体物理知识，分析和解决器件技术问题；与工艺部协作制定工艺流程方案，并解决关键技术问题；提出新的技术思路和想法，撰写专利；

任职资格:
1.本科及以上学历，微电子、半导体、集成电路、电子科学与技术、物理学等相关专业；硕士以上学历相关半导体经验者优先考虑。
2.熟悉半导体制造工艺流程、版图设计，器件设计模拟开发，器件模型建立的
方式方法;
3.具有5年以上功率器件（MOS/IGBT/FRD/SiC等）相关项目经验者优先
4.具备一定学习理解能力、判断分析能力，能熟练使用office等软件
5.熟练使用Medici、Silvaco或Sentaurus等仿真软件，并且会使用cadence或L-Edit等版图软件。
6.良好的英文沟通能力，较强的学习能力与团队合作能力，精通韩语者优先。
公司待遇丰厚，有完善的员工股权激励机制。