岗位职责：
1、阅读设计准则，与研发沟通开发目标；
2、根据设计准则，完成MOSFET、IGBT、二极管等功率半导体器件的 layout设计；
3、进行版图验证，包括设计规则检查和版图与原理一次性检查；
4、优化版图、缩小面积、以及优化走线以实现高性能目标，如低电阻、高可靠性和鲁棒性；
5、完成版图设计文档和Tool文件编写；
6、与Fab合作，产品流片过程中技术支持；
7、产品逆向分析、版图绘制和反向提图。
任职资格：
1、本科及以上,微电子等相关理工科专业；
2、3年以上设计开发相关经验；
熟练使用Ledit、Candence等功率器件版图软件；
3、熟悉功率二极管/MOS/IGBT/等类芯片的机构；
4、熟悉功率二极管/MOS/IGBT芯片设计与开发、工艺制造及封装过程，了解芯片的关键制程和测试参数；
5、熟练掌握半导体器件仿真软件及版图设计软件，有一定的模拟电路基础，有版图设计经验者优先；
6、较强的学习能力与团队合作能力。