岗位职责：
1.CMP工艺开发：负责半导体器件化学机械抛光（CMP）工艺的开发，涵盖Cu、Ti、TiN、Ta、TaN、SiO2、SiNx、LN等多种材料的表面平坦化技术。
2.实验设计与执行：主导CMP工艺的实验设计，执行实验并进行数据采集与分析，持续优化、监控和维护工艺性能，确保生产稳定性和产品质量。
3.工艺流程制定：制定CMP工艺流程、操作规范和标准，编写作业指导书、技术文件及培训资料，并对生产现场操作人员进行基础和操作培训与考核。
4.异常处理与改进：负责CMP工艺中的异常分析，找到根本原因，提出并实施改进方案，主导方案的导入、跟进及验证。
5.新技术引进与验证：负责新设备、新工艺、新材料的调研、评估、论证及导入，确保其性能稳定并符合工艺需求。
6.研发项目管理：制定研发项目中CMP工艺的开发计划及长期研发规划，与项目组保持沟通，确保项目进度和成果达标。
7.技术需求分析：进行CMP技术和工艺的需求调研和分析，归纳总结当前技术状态和存在的问题。提出创新性解决方案，并主导实施这些方案。
8.学术研究与专利申请：撰写学术论文和技术报告，将研究成果发表在相关期刊上，推动创新性技术成果的专利申请。
岗位要求：
1.学历背景：全日制本科及以上学历，硕士或博士优先，材料科学、机械工程、物理、微电子、微纳加工、半导体等相关专业。
2.工作经验：具有3年以上半导体晶圆厂（Fab）CMP工艺开发经验，优先考虑有8英寸或12英寸晶圆工作经验的候选人。
3.设备知识：熟悉主流CMP设备及其性能，尤其是应用材料、Ebara,华海清科、东京精密等CMP供应商设备的结构、特性和操作要点，具备对设备维护、故障排查和性能优化的深入理解。
4.工艺理解：深刻理解CMP工艺的基本原理，尤其是CMP在半导体器件混合键合中的应用需求，能够掌握混合键合过程中对表面平坦化的要求，并熟悉诸如TSV/TGV等先进封装工艺中的平坦化应用，具备针对不同材料（如Cu、Ti、Ta、SiO2、SiNx等）的CMP工艺优化能力。
5.耗材与辅料知识：对CMP工艺中的抛光液、抛光垫、供液系统等辅料的工艺影响有深刻理解，熟悉主流耗材供应商的产品性能，如杜邦、默克、安集、FUjibo、联盛、吉姆西等，能够结合不同供应商的材料选择***方案进行工艺优化。
6.前后道工艺理解：了解CMP相关的前后道工艺流程，包括但不限于晶圆键合、薄膜沉积、刻蚀、研磨、离子注入等工艺，能够在整体工艺流程中协调CMP工艺的优化，确保其与其他工艺环节的兼容性和高效性。
7.分析与沟通能力：具备良好的逻辑分析能力、书面表达能力及人际沟通能力，能够熟练使用PPT等工具进行汇报，并具备良好的英文读写能力，能够快速理解技术文献和撰写技术报告。
8.团队精神与执行力：具备优秀的团队合作精神和跨部门沟通协调能力，积极主动，能够在多元化团队中高效协作，并推动项目的顺利完成。