岗位职责：
1.开展新型光电信息材料与器件的设计制备和工艺研究；
2.开展感存算一体器件的设计、制备与创新应用研究，或针对特定的课题目标开展创新性研究；
3.开展high k薄膜材料的设计、制备和应用研究
4.协助搭建微纳加工和光电测量实验平台；
5.根据实验室要求申请相关方向人才计划和课题等；
6.接受合作导师指导，完成相关团队建设和人才培养等任务。
任职要求：
1. 在国内外知名高校、科研院所获得博士学位，具有材料学、光电子学等相关研究背景。
2. 熟悉半导体材料工艺，以及材料学的基础理论知识，熟悉存储器件芯片的相关知识和实践经验。
3. 能熟练应用英语进行英文文献阅读、撰写，能流利进行对外交流和进行学术报告。
4. 具有密度泛函理论，分子动力学，相场法研究以及TCAD器件建模经验者优先。
5. 年龄不超过35周岁，取得博士学位不超过3年，应届毕业生优先。
6. 恪守科研道德和学术规范，学风正派、诚实守信，品学兼优；善于发现问题、具有较强的科研创新潜力，能够独立开展相关研究；工作认真踏实、积极进取、善于学习，有强的责任心和事业心；性格开朗，善于沟通和团队协作，具备一定的协调组织能力。