1.根据新产品开发计划，制定和实施IGBT、MOSFET等产品的设计开发计划；
2.负责相关产品设计文件，工艺文件和封装测试文件的拟定；
3.负责IGBT、MOSFET等产品的工艺及器件结构仿真和版图设计；
4.跟进芯片开发进度，进行CP等数据的分析，确定量产工艺条件完成芯片开发；
5.对市场、运营、质量等相关部门人员进行沟通和协调，对反馈的信息进行技术论证，提出改进方案及解决问题。

任职要求：
1、.熟悉半导体器件物理，熟悉功率器件流制造流程及工艺；
2、有3年以上的半导体功率器件设计公司或半导体晶圆代工厂相关工作经验，
3、对功率器件及其技术前沿有较深得了解，较好的创新能力
4、熟悉DOE实验及数据分析；
5、熟悉仿真软件，如Sentaurus、Silvaco ；熟悉版图软件candence、L-Edit