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DRAM器件光刻工艺研究（博后/特别研究助理）

30-35万/年

人 · 博士 · 无需经验 · 性别不限2024/09/07发布

五险一金补充医疗保险补充公积金免费班车餐饮补贴专业培训绩效奖金年终奖金定期体检其他福利等等***为准

浦东新区

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海科路99号(2号线张江高科地铁站附近，有班车）

公司信息

中国科学院上海高等研究院

事业单位/1000-5000人

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职位描述

"岗位职责：
基于同步辐射EUV干涉光刻及电子束光刻技术，制备多种DRAM的典型图案（不同的pitch 尺寸，不同的透光率等），在不同的薄膜构造验证EUV 光刻胶的稳定性及工艺窗口，开展器件光刻工艺研究。"

"任职要求：
博士学历，物理或光学专业，有电子束光刻经验者优先；身体健康。"

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