1、985/211院校毕业，硕士及以上学历，微电子与固体电子、半导体器件与物理等相关专业，具有扎实的物理基础和半导体器件基础；
2、至少5年（含）以上功率器件研发经验，精通IGBT、SJMOSFET等功率半导体器件的芯片结构设计、版图设计、器件仿真、流片工艺、测试应用等一系列开发流程；
3、具备功率半导体器件实际产品的开发/生产/应用经验和FAB流片经验，本人直接开发或负责开发的器件具有持续销售或应用的案例；
4、工作严谨、思路清晰，有较好的沟通能力、学习能力和团队管理能力。