岗位职责：
1. 工作地点：长沙、嘉兴或者上海；
2. 进行IGBT，MOSFET，FRD等功率半导体器件的新产品研发工作，包括工艺仿真、结构设计、工艺流程制定；
3. 新产品开发和项目管理计划的制定及实施；
4. 新产品、新技术的跟进和研究。
任职要求：
1. 微电子与固体电子、半导体器件与物理等相关专业，具有扎实的物理基础和半导体器件基础；
2. 硕士/博士学历，或者本科学历具有功率半导体器件相关工作经验3年以上，熟悉IGBT，MOSFET，FRD等功率半导体器件的开发流程；
3. 具有Fab实际经验和上述功率半导体器件的实际开发/生产经验者优先；
4. 熟悉器件仿真（TCAD Simulation）和 版图设计（Layout Design）；
5. 具有较强的沟通能力、独立思考能力及团队协作能力；
6. 学习能力较强，具有创新精神。