1. 全面负责SiC功率模块工艺开发、制定工艺流程、review工艺工程师工作结果，整合工艺规范
2. .领导建立SiC功率模块生产相关的失效分析设施、能力、流程；
3. 跟踪SiC 功率模块工艺前沿发展，通过与高校、供应商等合作伙伴的紧密合作，进行先进技术与产品的前期开发；
4. 满足项目要求完成设备选型，工装制备，工艺参数优化、确认与验证，形成封装工艺的Design rule，指导模块设计与开发
任职要求
1. 微电子、精密仪器、自动化等专业硕士及以上学历；
2. 具备 SiC/IGBT 功率半导体整体工艺开发经验(领导过全流程工艺开发)，工作经验大于5年；
3. 精通SiC/IGBT 功率半导体封装核心工艺，如烧结焊接，注塑，打线等工艺；
4. 诚实、积极主动、创新、具备快速学习能力；
5. 良好的沟通，团队合作及英语水平。