岗位职责：

1、 配合IGBT设计人员完成流片，建立工艺制造流程；
2、 完成工艺认证各阶段的文件及数据准备；
3、及时处理暂停的批次；
4、分析参数失效的原因；
5、优化工艺及控制；
6、 设计工艺实验，追踪工程批的进展及验证；
7、持续改进工艺PCM参数的CpK；
8、 量产产品CP 良率提升，和FAB 相关低良率分析。

任职资格：

1、微电子专业硕士学历及以上，有FAB TD 或 PIE相关的工作经验可适当放宽。
2、有FAB TD 或PIE 、IGBT相关工作经验两年及以上，有TRENCH MOS 和8inch相关工作经验者优先考虑 。
3、熟悉晶体管原理，半导体物理，半导体器件，能运用专业知识分析并解决相关工艺问题；
4、 掌握DOE方法，熟练运用数据统计，工艺模拟等技能支持合理的实验设计， 熟悉DMOS, Superjunction，IGBT，FRD 等一种或多种工艺流程；
5、掌握8D方法来处理问题，掌握PCM参数的测试方法及监控的原理；
6、 熟悉APQP、FMEA、SPC基础应用，知晓PPAP, MSA 等质量应用工具；
7、 英语水平良好，能和海外客户沟通交流。
8、具备良好的团队合作精神，能吃苦耐劳、适应一定强度的工作压力，诚实守信、善于思考，性格积极主动、有创新精神。
工作地点：上海