- 负责功率半导体器件（如IGBT、MOSFET等）的设计与开发，包括但不限于器件结构设计、工艺流程制定及优化；
- 参与功率器件的研发项目，进行产品性能测试与分析，确保产品满足设计规格要求；
- 与团队成员紧密合作，解决产品研发过程中遇到的技术难题，提高产品的可靠性和成本效益；
- 对现有产品进行技术改进，提升产品竞争力，同时探索新技术以推动产品创新；
- 编写技术文档，为生产部门提供技术支持，并参与客户技术交流，了解市场需求。
【任职要求】
- 微电子学或相关专业硕士学历，具备扎实的专业理论基础；
-熟悉sentaurus等仿真设计软件
- 熟悉功率半导体器件的工作原理及应用，掌握基本的电路设计和分析能力；
- 具备良好的动手能力和实验技能，能够独立完成器件性能测试与评估；
- 有较强的逻辑思维和问题解决能力，能在压力下保持高效工作状态；
- 英语良好者优先，能够阅读英文技术资料，进行国际技术交流；
- 拥有良好的沟通协调能力和团队合作精神，乐于分享知识和技术经验。