工作职责：
1、负责宽带高效GaN功率芯片设计，内匹配及MMIC电路设计及性能验证;
2、负责GaN功率器件工艺研究与优化，联合 Foundry开发高性能高可靠性器件;
3、协助应用工程师分析和解决器件相关稳定性及可靠性问题;
4、了解业界先进的GaN功率器件制程，负责规划制定GaN功率芯片路标及演进方向。
任职资格:
1、硕士学历，微电子、集成电路、电磁场与微波等相关专业;
2、熟悉宽禁带半导体材料及器件工艺，具有一定程度的射频/微波电路相关基础:
3、熟悉Focus/Maury等Load-pull系统;
4、具有射频功率芯片设计、测试及流片经验者优先;
5、对Doherty/Envelop tracking/LMBA/Outphasing等功放架构设计、优化及测试有一定的了解;
6、熟悉ADS，HFSS，AWR等仿真设计软件。
工作地点：
深圳或者成都