工作职责：
(1) 基于III-V族化合物半导体工艺（GaAs、InP、GaN等）的微波毫米波单片集成电路（MMIC）设计与产品研发工作；产品包括但不限于：PA、LNA、移相器、衰减器、多功能芯片等；
(2) 完成原理图设计仿真，版图设计，电磁场仿真及tapeout流程；
(3) 对MMIC进行实验室测试评估；撰写产品手册，应用文档等；
(4) 配合MMIC在组件、系统中的集成应用工作。


任职要求：
(1) 熟悉化合物半导体工艺制程；
(2) 扎实的相关知识背景：微波射频/电磁场，模拟电路，信号与系统，通信系统；
(3) 熟练使用常用设计仿真软件及常用的射频微波测试仪器（VNA，VSG，VSA，Loadpull，微波探针台等）；
(4) 具备射频实验室动手调试能力，具备射频测试中分析和解决问题的能力。


优先：
(1) MMIC产品设计经验；
(2) GaN PA设计经验；
(3) 相控阵系统开发或应用经验；
(4) 无源器件（集成平面/立体电感、耦合器、Transformer、Hybrid、功率分配/合成结构等）设计经验。