职责描述：
1. 负责CZT晶片的拓展结构缺陷表征，导入或开发新的结构缺陷表征技术；
2. 负责CZT探测器光/电学性能测试，包括漏电流/噪声，能谱，迁移率-寿命，瞬态电流测试，导入或开发新的光/电学性能测试方法；
3. 负责总结各个批次样品性能指标规律，包括异常性能指标的总结与分析；
4. 协助其它部门完成新工艺导入样品的性能评估；
5. 负责跟踪晶片研发转化生产工艺进程，及时反馈该过程中的性能异常问题。

任职要求：
1. 本科以上学历需2年以上工作经验，硕士以上学历可考虑应届生。要求专业：半导体材料（光电类）、核物理、核工程与技术等物理背景专业；
2. 熟悉现代材料分析技术，掌握常见的材料表征测试原理及方法；
3. 熟悉半导体物理或核物理基本知识；
4. 有较强的逻辑思维能力，从测试各个角度把握测试结果；
5. 熟悉CdZnTe或是CdTe材料优先；
6. 可以熟悉一门脚本语言或是具有手动搭建一台小型设备的能力；
7. 热爱测试工作，有较强的学习能力、沟通能力，具备良好的团队精神。