1、负责CZT晶片的拓展结构缺陷表征，导入或开发新的结构缺陷表征技术；
2、负责CZT探测器光/电学性能测试，包括漏电流/噪声，能谱，迁移率-寿命，瞬态电流测试，导入或开发新的光/电学性能测试方法；
3、负责总结各个批次样品性能指标规律，包括异常性能指标的总结与分析；
4、协助其它部门完成新工艺导入样品的性能评估；
5、负责跟踪晶片研发转化生产工艺进程，及时反馈该过程中的性能异常问题。

任职资格：
1、硕士及以上学历，物理、电子信息、半导体相关专业；
2、工作经验不限，有硅辐射探测器或高纯锗探测器或者化合物半导体探测器（比如GaAs，CdTe，CZT， HgI2, CsPbClxBr3-x (1 ≤ x ≤ 3) 钙钛矿等）的表征测试经验
3、熟悉核辐射及核辐射探测的原理和方法；熟练使用能谱仪测试能量分辨率。