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光学设计工程师(铌酸锂) (MJ000158)
1.2-2.2万
人 · 硕士 · 2年及以上工作经验 · 性别不限2025/02/11发布
五险一金免费班车员工旅游餐饮补贴专业培训绩效奖金年终奖金弹性工作补充医疗保险定期体检股票期权发展空间大业务发展好

湖北省武汉市江夏区藏龙岛开发区潭湖路1号

公司信息
武汉光迅科技股份有限公司

国企/1000-5000人

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职位描述
职责描述:
1、负责薄膜铌酸锂调制器芯片仿真设计,编写相关设计文档;
2、对接工艺工程师,完成芯片流片;
3、配合封装团队验证及优化相关芯片,推动芯片量产;
4、协助完成薄膜铌酸锂平台规划和执行落地。
任职要求:
1、有相关工作经验或项目经验;
2、硕士以上,材料、通信、光学等理工类相关专业;
3、可阅读产品相关英文资料;
4、具备良好的沟通及表达能力和团队协作精神;
5、熟练光波导仿真工具和版图绘制工具;
6、熟悉光电子芯片封装流程。

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