1、功率半导体器件相关工作经验3年以上,熟悉IGBT、FRD等功率半导体器件的开发流程;2、微电子与固体电子、半导体器件与物理等相关专业,具有扎实的物理基础和半导体器件基础;3、具有Fab实际经验和实际开发/生产经验;4、熟悉版图设计(Layout Design)和器件仿真(TCAD Simulation);5、参与封装设计、性能测试及失效分析。职位福利:五险一金、绩效奖金、加班补助、全勤奖、带薪年假、周末双休、节日福利、高温补贴