岗位职责：
1.负责MOSFET（以超结MOSFET为主，以及SGTMOS,VDMOS等）/IGBT产品（单管，模组）的应用。
2.对相关应用领域(MOSFET：服务器电源，通信电源，UPS，微逆变器，储能，充电桩等；IGBT：马达工控，伺服，光伏，储能，充电桩等)进行电路拓扑拆解分析并归纳对功率器件的要求
3.跟踪新的应用方向及新的拓扑结构，归纳总结对应的功率器件的发展趋势
4.负责生成应用路线图（ApplicationRoadmap/Guide）
5.进行客户产品需求调研，生成客户需求规格（CustomerRequirement Specification)
6.与研发团队一起基于现有技术平台将客户需求规格转化为功能需求规格(FunctionalRequirementSpecification)，并最终生成产品规格书
7.负责设计验证板(EvaluationBoard)和参考设计板(Reference Board)
8.负责对功率器件进行应用测试和极限测试
9.负责对竞争对手的器件进行对比测评
10.在项目团队内与研发，市场，质量，采购，运营等团队紧密合作以保证按时间计划和成本计划推出产品
任职资格：
1.本科学历，电子工程，电力电子，微电子，半导体，物理，电气工程方向，研究生学历则更佳；
2.多年MOSFET/IGBT产品及其相关应用的电路拓扑结构的经验，非常熟悉MOSFET/IGBT产品的参数性能指标和测试方法。
3.至少七年以上在功率半导体领域（IDM,Fabless或一线代理商)的作为应用工程师，或者在光伏，储能，充电桩，服务器电源等领域作为研发工程师的工作经验，十年以上更佳；
4.对自己的产品和应用领域有较强的责任心及主人翁精神；
5.需要对应用中出现的问题（炸机，失效等）有独立分析判断能力；
6.有独立设计验证板(EvaluationBoard)和参考设计板(Reference Board)的能力和经验；
7.熟悉各种测试设备和测试方法；
8.擅长对产品做推荐展示，演讲培训等活动；
9.有很好的内外部交流能力（研发，测试，质量，销售，客户）；
10.有一定的英文文档阅读及写做能力
11.工作严谨，细致；原则性强，责任心强；协作能力，沟通能力强。