岗位职责:1.负责氮化镓半导体HEMT器件工艺的整合,包括样品表面清洁,光刻,刻蚀,蒸金属,退火,PECVD, ICP, RIE等工序的工艺流程制定及调试;2.负责新产品的试生产,包括工艺菜单优化和工艺流程的优化,提高产品性能和成品率;3.负责中试生产中出现的重大工艺问题的攻关组织工作,参与质量改进的分析和实施;4.收集和记录实验数据,并进行分析,提交实验报告和相关技术文档。任职要求:1.本科以上学历,物理,化学,材料,机械,电子,微电子及相关专业;2.三年以上氮化镓半导体净化室的工艺制造工作经验,熟悉氮化镓半导体器件制造相关工艺流程和原理;3.具有很强的工作协调能力,并积极地发现问题解决问题;4.有氮化镓HEMT器件工艺制造经验者优先;5.具有高度的责任心、很强的团队意识、创新意识,具有良好的抗压能力、学习能力、沟通能力和表达能力;6.诚实正直,善于思考,做事严谨,勇于承担责任。职位福利:五险一金、带薪年假、周末双休