岗位职责: (1)砷化镓HBT和pHEMT器件技术的开发(2)与PIE 和工艺模块共同开发新的工艺技术(3)器件特性和可靠性相关分析任职要求:(1)本科及以上学历,电子工程、材料科学及相关专业(2) 半导体器件的基础知识 (3) 半导体工艺基础知识(4) 有化合物半导体(GaAs或GaN)制造工厂经验者优先