岗位职责：
(1) GaAs HBT和pHEMT RF器件模型开发
(2) 使用Keysight ADS内置器件模型进行模型提取
(3) 从源代码开发原始设备模型（使用ADS中的SDD或使用Verilog-A）
任职要求：
(1) Keysight ADS 和 ICCAP
(2) 化合物半导体（GaAs和/或GaN）器件的基础知识
(3) 有一定的器件建模经验者优先
(4) 本科及以上学历，2年以上相关工作经验