职位描述：
1、负责宽带高效GaN功率芯片设计，包括器件建模，内匹配及MMIC电路设计及性能验证；
2、负责GaN功率器件工艺研究与优化，联合Foundry开发高性能高可靠性器件；
3、协助应用工程师分析和解决器件相关稳定性及可靠性问题；
4、了解业界先进的GaN功率器件制程，负责规划制定GaN功率芯片路标及演进方向。
职位要求：
1、硕士及以上学历，微电子、集成电路、电磁场与微波等相关专业；
2、熟悉宽禁带半导体材料及器件工艺，具有一定程度的射频/微波电路相关基础；
3、熟悉Focus/Maury等Load-pull系统；
4、具有射频功率芯片设计、测试及流片经验者优先；
5、对Doherty/Envelop tracking/LMBA/Outphasing等功放架构设计、优化及测试有一定的了解；
6、熟悉ADS，HFSS，AWR等仿真设计软件。