一、岗位职责
1. 负责IGBT、MOSFET、FRD等功率半导体芯片设计与开发工作，含工艺仿真、结构设计、版图绘制，工艺流程制定，检测程序制定；
2. 负责解决芯片设计与开发过程中的关键设计、仿真、工艺等技术问题，进行芯片性能分析及优化，确保研发项目的顺利进行；
3. 相关专利文件撰写及申请；
4. 根据需求进行产品变更与维护，实验数据的统计分析；
5. 新材料，新器件，新产品技术情报收集与分析；
二、 学历要求
1.硕士及以上；
2.物理学，微电子，电子工程，电气工程，自动化等相关专业；
三、业务能力要求
1. 从业经历3年以上，具有功率器件从设计到量产的完整经验；
2. 精通IGBT，MOSFET，FRD等功率器件原理；
3. 熟悉IGBT，MOSFET，FRD等功率器件工艺；
4. 熟悉常见电力电子拓扑；
5. 熟悉常见功率器件封装；
6. 熟练使用TCAD，Layout等工具；
7. 熟练使用常见电学测量仪器；
8. 具有FAB经验者优先；