岗位职责
1.离子注入工艺开发：负责微纳器件制备中的离子注入工艺开发，包括n型和p型掺杂、电导率调制、沟道调制以及SMART Cut工艺等，注入材料包括Ar、H60、He、B、P等。
2.实验设计与数据分析：根据不同器件的工艺需求，选择合适的掺杂材料与工艺参数，制定实验设计，执行数据采集和分析，并持续优化工艺参数。
3.前后道工艺开发：开发和优化离子注入后的高温工艺，包括高温退火、活化和隔离等工艺流程，确保器件性能符合设计要求并满足生产需求。
4.工艺流程制定：制定离子注入工艺的方法、操作流程和标准化规范，编写作业指导书和技术文件，负责对技术人员和现场操作人员进行培训及考核。
5.新技术和设备引入：负责调研、评估和论证新设备、新材料和新工艺的导入和验证，尤其是新离子注入设备和特种气体，以确保技术的先进性和生产的可行性。
6.技术趋势跟踪与创新：持续跟踪微纳制造领域最新的离子注入技术发展，积极参与行业交流与技术讨论，并主导离子注入工艺的内部研究和技术创新，以保持技术前沿和竞争力。
7.项目研发管理：根据不同研发项目的需求，制定工艺研发计划和长期规划，与项目组沟通，确保技术需求和研发进度的对齐。
8.学术研究与专利申请：进行离子注入工艺相关的学术研究，包括撰写技术论文和研究报告，进行文献综述和前沿技术跟踪，撰写专利，将研究成果转化为知识产权。
任职资格：
1、硕士及以上学历，博士优先，专业包括但不限于材料、机械工程、物理、化学、微电子、微纳加工、半导体等相关领域。
2、具备5年以上微纳器件制备工艺开发经验，或3年以上Fab厂离子注入工艺开发经验；优先考虑具有8寸或12寸晶圆制造工作经验者。
3、熟悉主流离子注入设备的结构和性能，包括应用材料（AMAT）、亚舍立（Axcelis）、爱发科（ULVAC）等品牌的设备，理解不同设备对离子注入工艺的影响，包括能量、剂量和注入角度的设置要求。
4、深入了解离子注入工艺的基本原理，包括掺杂机制、离子迁移及其在半导体器件制造中的应用；熟悉离子注入工艺参数（如离子能量、注入剂量、注入时间等）的设置及其对掺杂深度、浓度和电气性能的影响。
5、了解各种离子注入材料（如硼、磷、砷等）的特性和功能及其在不同工艺中的应用，熟悉离子注入过程中所用特气的种类（如氮气、氦气等），及其在工艺中的作用和影响。
6、具备良好的逻辑分析能力、书面表达能力及人际沟通能力，能够熟练使用PPT等工具进行汇报，并具备良好的英文读写能力，能够快速理解技术文献并撰写相关技术报告。
7、具备优秀的团队合作精神和跨部门沟通协调能力，积极主动，能够在多元化团队中高效协作，并推动项目的顺利完成。