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DDR模拟设计资深工程师
4-7万·14薪
人 · 本科 · 5年及以上工作经验 · 性别不限2024/10/08发布
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张江高科·集贤天地-A座503-504室

公司信息
中茵微电子(南京)有限公司

民营/50-150人

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职位描述
工作职责:
- 负责前沿工艺和规格 LPDDR4/5, HBM 及其他高速存储接口PHY IP进行模块级规格制定及电路设计仿真等;
- 负责Chiplet接口模块级规格制定及电路设计仿真;
- 与版图设计工程师进行协作并指导关键电路的版图设计;
- 支持封装工程师进行先进封装设计及SI/PI仿真;
- 支持硬件和测试工程师进行PCB设计及IP的bringup和debug;
- 针对SoC架构需求对系统和性能需求进行分析并提供相应的解决方案。
任职资格:
- 电子类硕士毕业5年以上的电路设计经验,3年以上的DDR PHY设计经验。具备高速Serdes设计经验者优先;
- 深入理解DDR等高速存储接口协议。对其他Serdes协议理解者优先;
- 对高速电路版图的要点有深入理解,包括寄生效应,串扰隔离、供电和偏置分布等;
- 对设计环境和EDA经验丰富,包括设计,仿真,混仿,EM等。具备FinFet设计经验者优先;
- 熟悉电磁结构的理论和实践方面,包括传输线、螺旋电感、谐振电路等;
- 具备较好的自驱力及团队协作能力。

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