职责：
1.设计氮化镓（GaN）功率放大器芯片的射频电路，涵盖高频匹配网络、功率合成器等关键组件；
2.执行电路仿真（使用ADS、HFSS等工具）及性能优化，确保电路设计的精确性和高效性。
工作内容：
1.设计开关（Switch）、功率放大器（PA）、低噪声放大器（LNA）等射频电路，以验证RFCMOS、RFSOI以及GaAs HBT GaN HEMT等工艺模型的准确性；
2.设计一系列电路，验证RF CMOS、RFSOI和GaAsHBT GaN HEMT等工艺PDK的实用性；
3.设计各种PA、Switch、LNA等电路以及射频前端模块的IP，并进行性能验证；能够独立完成器件电路的测试验证；
4.负责射频芯片系统、射频前端电路设计以及器件物理版图设计；
5.验证设计结果，并推动流片过程。
必要技能：
61 精通射频电路设计，对氮化镓（GaN）HEMT特性有深入了解；
61 能够对GaN芯片进行射频性能、可靠性和热管理测试。