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FRD/TVS器件设计
30-45万/年
人 · 本科 · 5年及以上工作经验 · 性别不限2025/04/18发布
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金田路

公司信息
广州一亨科技有限公司

合资/150-500人

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职位描述
岗位职责:
1.配合主管工程师完成IGBT、MOSFET、FRD产品的研发计划及具体执行方案;
2、具体执行IGBT、MOSFET、FRD研发方案,完成版图设计,制定工艺流程等;
3、协调产品在线试流投片,跟进流速,以及监控工艺参数控制情况;
4、对产品芯合格率、产品设计、工艺流程等数据进行收集整理分析;
5、跟进封装、可靠性实验,应用实验,并对实验结果进行初步分析;
6、配合市场部跟进客户对试制样品的反馈信息;
7、拟制所负责产品的标准化文件。

任职条件:
1、微电子学、物理学、电子科学与技术等相关专业本科及以上学历;
2、5年以上IGBT、Planer MOSFET、Trench MOSFET、SGT MOSFET、FRD 开发经验,有成熟案例在市场批量出货;
3、熟悉 APQP流程;
4、熟悉产品参数测试、工艺流程,熟练使用相关值版及仿真软件;
5、拥有团队管理经验,逻辑思维能力强。

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