岗位职责:
1、根据公司的新品开发计划，独立负责高功率压MOSFET、超结MOSFET、低压沟槽MOSFET和SGT器件的设计开发；
2、制定并负责实施相关新品开发计划，保证计划的顺利完成；
3、负责相关产品的设计文件、工艺文件和封装测试文件的拟制；
4、与市场、运营、质量等相关部门人员进行沟通和协调，对反馈信息进行技术论证，提出改进方案确保及时解决问题；
5、完成上级布置的其它任务。


任职资格:
1、掌握高压DMOS或超结DMOS或低压沟槽DMOS或SGT器件原理和设计方法
2、掌握半导体器件的制造过程和方法
3、掌握主流TCAD仿真软件的使用
4、掌握Cadence版图设计软件的使用
5、掌握QFD、DOE、SPC、8D、FMEA、FA相关知识及应用
6、掌握功率MOSFET电气参数的测试方法
7、微电子及相关专业本科或硕士以上学历，3年以上功率器件产品设计开发经验