工作描述：
1. MOSFET、IGBT等功率器件的设计与开发：器件结构与工艺设计，新老产品性能优化与良率提升，器件测试与可靠性考核；
2. 与晶圆代工厂和封装代工厂日常对接：设计制定工艺流程和测试程序，设计流片实验方案与封装实验方案，完成编写封装规格书与芯片规格书；等。


任职要求
1. 本科及以上学历，微电子相关专业，有一定的英文读写水平；
2. 熟悉MOSFET、IGBT、功率半导体器件的特性、内部结构、制造工艺、测试方法、应用和常见失效模式及失效机理；
3. 具有扎实的半导体器件知识功底；熟悉半导体工艺制造，封装及器件应用原理；
4. 具有半导体功率器件设计公司或半导体晶圆代工厂TDPIE工作经验，产品设计与工艺整合经验优先；
5. 有2年及以上功率半导体器件研发、测试等相关工作经验优先。