岗位职责：
1、独立负责深硅刻蚀工艺的研发，使用PECVD和RIE设备；
2、完成机台的正常操作和日常维护工作；
3、独立负责深硅刻蚀工艺研发，完成不同形状、不同深宽比深硅刻蚀工艺的研发，能够调整深硅刻蚀的垂直角度等；
4、利用氧化硅和氮化硅等常用介质膜的生长工艺，调控介质膜生长温度、均匀性和沉积速率等工艺；
5、完成对常用介质膜的图形化刻蚀工艺研发。
岗位要求：
1、硕士学历，三年以上工作相关经验；
2、熟悉ICP刻蚀设备和Bose工艺；
3、熟悉基于ICP的深硅刻蚀工艺；
4、熟悉PECVD和RIE设备，重点在于氧化硅薄膜和氮化硅薄膜经验。