职位描述:-负责磁性存储MRAM核心架构的设计、验证、仿真、分析及优化-负责时序生成、译码、读写电路、高压路径、测试模块等设计-负责在符合客户指标下的模块调整- 与器件、系统、及模拟团队协作,确保产品性能符合设计要求;- 在跨部门团队中有效沟通,推动产品从概念到量产。任职要求:- 电子工程、电气工程、微电子学或相关领域的本科及以上学历;- 至少3年存储器(SRAM/DRAM/eFlash/NAND Flash)核心电路设计经验;- 熟悉存储器电路的时序分析和功耗优化;- 掌握集成电路设计工具(如Cadence、Synopsys等)的使用;- 具备良好的团队合作精神和沟通能力,能够与其他工程师、测试人员和工艺专家紧密协作;- 有MRAM或其他非易失性存储器设计经验者优先;- 具有高压路径设计经验者优先;- 参与过存储器的流片、测试及量产者优先;- 具备多芯片集成和低功耗设计经验者优先。